霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：
1、激勵電流i。
2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量b。
3、器件材料（決定靈明度系數(shù)k）。
4、霍爾電勢的方向還與半導體是p型還是n型有關，兩者方向相反。
設霍爾電勢為eh
則：eh=kib
注：b為與電流垂直的磁感應強度分量。
當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，從而在半導體的兩端產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差?；魻栃褂米笫侄▌t判斷。