顯然，利用上述光電效應(yīng)可以制造出簡(jiǎn)單的p-n結(jié)光電二極管．但是，仔細(xì)研究將會(huì)發(fā)現(xiàn)，在p-n結(jié)中，由于有內(nèi)建電場(chǎng)的作用中，內(nèi)建電場(chǎng)使耗盡層的能帶形成一個(gè)“斜坡”——位壘），使光電子和光空穴的運(yùn)動(dòng)速度加快，從而，使光電流能快速地跟著光信號(hào)變化，即響應(yīng)速度快．然而，在耗盡層以外產(chǎn)生的光電子和光空穴由于沒(méi)有內(nèi)建電場(chǎng)的加速作用，運(yùn)動(dòng)速度慢，因而響應(yīng)速度低，而且容易被復(fù)合掉，使光電轉(zhuǎn)換效率差，這是人們所不希望的．
為了改善光電檢測(cè)器的響應(yīng)速度和轉(zhuǎn)換效率，顯然，適當(dāng)加大耗盡層寬度是有利的，為此在制造時(shí)，在p型材料和n型材料之間加一層輕摻雜的n型材料，稱(chēng)為i（intrinsic，本征的）層，加圖1所示．由于是輕摻雜，故電子濃度很低，經(jīng)擴(kuò)散作用后可形成一個(gè)很寬的耗盡層，
另外，為了降低p-n結(jié)兩端的接觸電阻，以便與外電路聯(lián)接，將兩端的材料做成重?fù)诫s的p+層和n+層．
人們將這種結(jié)構(gòu)的光電二級(jí)管稱(chēng)為pin光電二極管，制造這種晶體管的本征材料可以是si或ingaas，通過(guò)摻雜后形成p型材料和n型材料．pin光電二極管的結(jié)構(gòu)示意如圖2所示。
圖1 pin光電二極管能帶圖和構(gòu)成示意圖
圖2 pin光電二極管結(jié)構(gòu)示意圖（剖面圖）